Исследователи из университета ЛЭТИ (Санкт-Петербург) совместно с компанией New Diamond Technology совершили технологический прорыв в области создания электронных компонентов нового поколения. Об этом сообщает пресс-служба Минобрнауки РФ.
Разработанные образцы алмазных пластин с добавлением бора открывают новые горизонты для криптографии, космической и ядерной промышленности. В отличие от традиционных материалов – кремния, германия и соединений галлия – синтетический алмаз обладает уникальными свойствами полупроводника при добавлении определенных элементов.
Процесс создания инновационных пластин происходит в экстремальных условиях, имитирующих природное формирование алмазов. Графит подвергается воздействию температуры 1300-1600 градусов и давления 5-6 гигапаскалей на протяжении 20 суток. В ходе кристаллизации происходит легирование бором методом газофазного напыления.
«Мы получили образец для создания прототипов электронных устройств. Следующая задача – увеличить размер алмазной монокристаллической подложки до 2 дюймов и выше при минимальной плотности дислокаций», – поделился профессор Василий Зубков, специалист кафедры микро- и наноэлектроники.
Полученные результаты закладывают фундамент для массового производства высокотехнологичных электронных компонентов, способных работать в экстремальных условиях. Российские ученые продолжают исследования для совершенствования технологии и расширения возможностей применения алмазных пластин.
